Strain and lattice tilt mapping of GaN at early stage of coalescence by synchrotron x-ray nano diffraction - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Strain and lattice tilt mapping of GaN at early stage of coalescence by synchrotron x-ray nano diffraction

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04624774

Soumis le : mardi 25 juin 2024-15:52:26

Dernière modification le : jeudi 27 juin 2024-03:16:32

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04624774 , version 1 (25-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04624774 , version 1

Citer

M. Wehbe, M. Charles, D. Pino Munoz, K. Baril, B. Alloing, et al.. Strain and lattice tilt mapping of GaN at early stage of coalescence by synchrotron x-ray nano diffraction. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Fukuoka, Japan. ⟨hal-04624774⟩

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