Strain and lattice tilt mapping of GaN at early stage of coalescence by synchrotron x-ray nano diffraction - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Strain and lattice tilt mapping of GaN at early stage of coalescence by synchrotron x-ray nano diffraction

M. Wehbe
  • Fonction : Auteur
M. Charles
  • Fonction : Auteur
D. Pino Munoz
  • Fonction : Auteur
K. Baril
  • Fonction : Auteur
B. Alloing
  • Fonction : Auteur
J. Zuniga Perez
N. Labchir
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Gourgon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
E. Zatterin
  • Fonction : Auteur
P. Gergaud
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mardi 25 juin 2024-15:52:26

Dernière modification le : jeudi 12 décembre 2024-03:31:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04624774 , version 1 (25-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04624774 , version 1

Citer

M. Wehbe, M. Charles, D. Pino Munoz, K. Baril, B. Alloing, et al.. Strain and lattice tilt mapping of GaN at early stage of coalescence by synchrotron x-ray nano diffraction. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Fukuoka, Japan. ⟨hal-04624774⟩

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