Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillars for the next generation of ultraviolet light-emitting diodes - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillars for the next generation of ultraviolet light-emitting diodes

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04512539

Soumis le : mercredi 20 mars 2024-10:05:04

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:01:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04512539 , version 1 (20-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04512539 , version 1

Citer

L. Jaloustre, S. Sales De Mello, S. Labau, C. Petit-Etienne, E. Pargon. Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillars for the next generation of ultraviolet light-emitting diodes. 44rd International Symposium on dry process DPS 2023, Nov 2023, NAGOYA, Japan. ⟨hal-04512539⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM MINASEE PROSPECT RENATECH
5 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More