Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillars for the next generation of ultraviolet light-emitting diodes - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillars for the next generation of ultraviolet light-emitting diodes

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04512539

Soumis le : mercredi 20 mars 2024-10:05:04

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:36:33

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04512539 , version 1 (20-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04512539 , version 1

Citer

L. Jaloustre, S. Sales De Mello, S. Labau, C. Petit-Etienne, E. Pargon. Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillars for the next generation of ultraviolet light-emitting diodes. 44rd International Symposium on dry process DPS 2023, Nov 2023, NAGOYA, Japan. ⟨hal-04512539⟩

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