Aspect ratio impact of etched silicon wafers on ion energy distribution in plasma etching - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2023

Aspect ratio impact of etched silicon wafers on ion energy distribution in plasma etching

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04509562 , version 1 (18-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04509562 , version 1

Citer

Nouhaila Rochdi, Martin Kogelschatz, Camille Petit-Etienne, Gilles Cunge. Aspect ratio impact of etched silicon wafers on ion energy distribution in plasma etching. PESM, Jun 2023, GRENOBLE, France. ⟨hal-04509562⟩
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