TiN/Gd:HfO 2 /TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2020

TiN/Gd:HfO 2 /TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching

T. Francois
L. Grenouillet
  • Fonction : Auteur
J. Coignus
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03867645 , version 1 (23-11-2022)

Identifiants

Citer

S. Belahcen, T. Francois, L. Grenouillet, A. Bsiesy, J. Coignus, et al.. TiN/Gd:HfO 2 /TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching. Applied Physics Letters, 2020, 117 (25), pp.252903. ⟨10.1063/5.0035706⟩. ⟨hal-03867645⟩
8 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More