TiN/Gd:HfO 2 /TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching

S. Belahcen; T. Francois; L. Grenouillet; A. Bsiesy; J. Coignus; M. Bonvalot

doi:10.1063/5.0035706

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2020

TiN/Gd:HfO 2 /TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching

(1) , , , (1) , , (1)

1

S. Belahcen

Fonction : Auteur
PersonId : 800558
ORCID : 0000-0003-4248-9513
IdRef : 262335867

Laboratoire des technologies de la microélectronique

T. Francois

Fonction : Auteur
PersonId : 1192490
ORCID : 0000-0002-8013-3713

L. Grenouillet

Fonction : Auteur

A. Bsiesy

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

J. Coignus

Fonction : Auteur
PersonId : 764486
ORCID : 0000-0001-8898-5999

M. Bonvalot

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03867645

Soumis le : mercredi 23 novembre 2022-14:14:11

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:08:45

Dates et versions

hal-03867645 , version 1 (23-11-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-03867645 , version 1
DOI : 10.1063/5.0035706

Citer

S. Belahcen, T. Francois, L. Grenouillet, A. Bsiesy, J. Coignus, et al.. TiN/Gd:HfO 2 /TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching. Applied Physics Letters, 2020, 117 (25), pp.252903. ⟨10.1063/5.0035706⟩. ⟨hal-03867645⟩

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