Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means

M Bartmann; M Sistani; S Glassner; B Salem; T Baron; P Gentile; J Smoliner; A Lugstein

doi:10.1088/1361-6528/abd0b2

Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2021

Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means

, , , (1) , (1) , , ,

1

M Bartmann

Fonction : Auteur
PersonId : 814519
ORCID : 0000-0002-9556-1550

M Sistani

Fonction : Auteur
PersonId : 799819
ORCID : 0000-0001-5730-234X

S Glassner

Fonction : Auteur

B Salem

Fonction : Auteur
PersonId : 174867
IdHAL : bassem-salem
ORCID : 0000-0001-8038-3205
IdRef : 092216625

Laboratoire des technologies de la microélectronique

T Baron

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

P Gentile

Fonction : Auteur

J Smoliner

Fonction : Auteur

A Lugstein

Fonction : Auteur
PersonId : 783542
ORCID : 0000-0001-5693-4775

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449043

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-14:56:38

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:39:37

Dates et versions

hal-03449043 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03449043 , version 1
DOI : 10.1088/1361-6528/abd0b2

Citer

M Bartmann, M Sistani, S Glassner, B Salem, T Baron, et al.. Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means. Nanotechnology, 2021, 32 (14), pp.145711. ⟨10.1088/1361-6528/abd0b2⟩. ⟨hal-03449043⟩

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