Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2021

Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means

M Bartmann
M Sistani
S Glassner
  • Fonction : Auteur
B Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T Baron
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
P Gentile
  • Fonction : Auteur
J Smoliner
  • Fonction : Auteur
A Lugstein

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449043

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-14:56:38

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:32:33

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Dates et versions

hal-03449043 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

Citer

M Bartmann, M Sistani, S Glassner, B Salem, T Baron, et al.. Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means. Nanotechnology, 2021, 32 (14), pp.145711. ⟨10.1088/1361-6528/abd0b2⟩. ⟨hal-03449043⟩

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