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A Comparative Study of Surface-Roughness-Induced Variability in Silicon Nanowire and Double-Gate FETs

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02419609
Contributeur : Mireille Mouis <>
Soumis le : jeudi 19 décembre 2019 - 15:39:14
Dernière modification le : lundi 20 juillet 2020 - 09:12:08

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Alessandro Cresti, Marco Pala, Stefano Poli, Mireille Mouis, Gérard Ghibaudo. A Comparative Study of Surface-Roughness-Induced Variability in Silicon Nanowire and Double-Gate FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 58 (8), pp.2274-2281. ⟨10.1109/TED.2011.2147318⟩. ⟨hal-02419609⟩

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