Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2011
Mireille Mouis : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02419609
Soumis le : jeudi 19 décembre 2019-15:39:14
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:20
Citer
Alessandro Cresti, Marco Pala, Stefano Poli, Mireille Mouis, Gérard Ghibaudo. A Comparative Study of Surface-Roughness-Induced Variability in Silicon Nanowire and Double-Gate FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 58 (8), pp.2274-2281. ⟨10.1109/TED.2011.2147318⟩. ⟨hal-02419609⟩
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