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Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02352889
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 7 novembre 2019 - 09:39:07
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:10

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CNRS | CEA | LTM | UGA

Citation

B. Ilahi, B. Salem, V. Aimez, L. Sfaxi, H. Maaref, et al.. Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing. Nanotechnology, Institute of Physics, 2006, 17 (15), pp.3707-3709. ⟨10.1088/0957-4484/17/15/015⟩. ⟨hal-02352889⟩

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