Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

B. Ilahi; B. Salem; V. Aimez; L. Sfaxi; H. Maaref; D Morris

doi:10.1088/0957-4484/17/15/015

Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2006

Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

, (1) , (2) , , ,

1
2

B. Ilahi

Fonction : Auteur

B. Salem

Fonction : Auteur
PersonId : 174867
IdHAL : bassem-salem
ORCID : 0000-0001-8038-3205
IdRef : 092216625

Laboratoire des technologies de la microélectronique

V. Aimez

Fonction : Auteur
PersonId : 182750
IdHAL : vaimez
ORCID : 0000-0002-1594-3242
IdRef : 144755300

Université de Sherbrooke

L. Sfaxi

Fonction : Auteur

H. Maaref

Fonction : Auteur

D Morris

Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02352889

Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-09:39:07

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:09

Dates et versions

hal-02352889 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02352889 , version 1
DOI : 10.1088/0957-4484/17/15/015

Citer

B. Ilahi, B. Salem, V. Aimez, L. Sfaxi, H. Maaref, et al.. Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing. Nanotechnology, 2006, 17 (15), pp.3707-3709. ⟨10.1088/0957-4484/17/15/015⟩. ⟨hal-02352889⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM

17 Consultations

0 Téléchargements

Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

Domaines

Dates et versions

Identifiants

Citer

Exporter

Collections

Altmetric

Partager