Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2006

Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

B. Ilahi
  • Fonction : Auteur
V. Aimez
L. Sfaxi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
D Morris
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-02352889 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

Citer

B. Ilahi, B. Salem, V. Aimez, L. Sfaxi, H. Maaref, et al.. Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing. Nanotechnology, 2006, 17 (15), pp.3707-3709. ⟨10.1088/0957-4484/17/15/015⟩. ⟨hal-02352889⟩

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