Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2006
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02352889
Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-09:39:07
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:09
Citer
B. Ilahi, B. Salem, V. Aimez, L. Sfaxi, H. Maaref, et al.. Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing. Nanotechnology, 2006, 17 (15), pp.3707-3709. ⟨10.1088/0957-4484/17/15/015⟩. ⟨hal-02352889⟩
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