Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

B. Ilahi; B. Salem; V. Aimez; L. Sfaxi; H. Maaref; D Morris

doi:10.1088/0957-4484/17/15/015

Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2006

Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing

, (1) , (2) , , ,

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B. Ilahi

Fonction : Auteur

B. Salem

Fonction : Auteur
PersonId : 174867
IdHAL : bassem-salem
ORCID : 0000-0001-8038-3205
IdRef : 092216625

Laboratoire des technologies de la microélectronique

V. Aimez

Fonction : Auteur
PersonId : 182750
IdHAL : vaimez
ORCID : 0000-0002-1594-3242
IdRef : 144755300

Université de Sherbrooke

L. Sfaxi

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H. Maaref

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D Morris

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Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-09:39:07

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:08:24

Dates et versions

hal-02352889 , version 1 (07-11-2019)

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HAL Id : hal-02352889 , version 1
DOI : 10.1088/0957-4484/17/15/015

Citer

B. Ilahi, B. Salem, V. Aimez, L. Sfaxi, H. Maaref, et al.. Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing. Nanotechnology, 2006, 17 (15), pp.3707-3709. ⟨10.1088/0957-4484/17/15/015⟩. ⟨hal-02352889⟩

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