Effect of the Er-Si interatomic distance on the Er3+ luminescence in silicon-rich silicon oxide thin films - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2007

Effect of the Er-Si interatomic distance on the Er3+ luminescence in silicon-rich silicon oxide thin films

P. Noe
  • Fonction : Auteur
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
E. Delamadeleine
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
D. Jalabert
  • Fonction : Auteur
V. Calvo
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
C. Maurizio
  • Fonction : Auteur
F. D’acapito
  • Fonction : Auteur
European Synchrotron Radiation Facility

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Citer

P. Noe, B. Salem, E. Delamadeleine, D. Jalabert, V. Calvo, et al.. Effect of the Er-Si interatomic distance on the Er3+ luminescence in silicon-rich silicon oxide thin films. Journal of Applied Physics, 2007, 102 (10), pp.103516. ⟨10.1063/1.2817512⟩. ⟨hal-02352877⟩

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