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Communication dans un congrès

Atomic-scale simulations of Hx+ ions modification of SiO2 thin films and Si02 pattern flanks for an innovative ONO stack etching process

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02337577
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 29 octobre 2019 - 15:09:04
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:02:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-02337577, version 1

Collections

CNRS | CEA | LTM | UGA

Citation

F. Pinzan, C. Petit-Etienne, F. Leverd, E. Despiau-Pujo. Atomic-scale simulations of Hx+ ions modification of SiO2 thin films and Si02 pattern flanks for an innovative ONO stack etching process. 41th International Symposium on Dry Process (DPS 2019), Nov 2019, Hiroshima, Japan. ⟨hal-02337577⟩

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