Atomic-scale simulations of Hx+ ions modification of SiO2 thin films and Si02 pattern flanks for an innovative ONO stack etching process - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Atomic-scale simulations of Hx+ ions modification of SiO2 thin films and Si02 pattern flanks for an innovative ONO stack etching process

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02337577

Soumis le : mardi 29 octobre 2019-15:09:04

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:34

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Dates et versions

hal-02337577 , version 1 (29-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02337577 , version 1

Citer

F. Pinzan, C. Petit-Etienne, F. Leverd, E. Despiau-Pujo. Atomic-scale simulations of Hx+ ions modification of SiO2 thin films and Si02 pattern flanks for an innovative ONO stack etching process. 41th International Symposium on Dry Process (DPS 2019), Nov 2019, Hiroshima, Japan. ⟨hal-02337577⟩

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