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Communication dans un congrès

Development and optimization of the Smart Etch concept for SiN spacer etching with high selectivity over Si and SiO2

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02324928
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 22 octobre 2019 - 10:15:49
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:04:04

Identifiants

  • HAL Id : hal-02324928, version 1

Collections

Citation

V. Renaud, C. Petit-Etienne, J. P. Barnes, L. Vallier, G. Cunge, et al.. Development and optimization of the Smart Etch concept for SiN spacer etching with high selectivity over Si and SiO2. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 11th International Workshop, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02324928⟩

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