Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02324928
Soumis le : mardi 22 octobre 2019-10:15:49
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02324928 , version 1
Citer
V. Renaud, C. Petit-Etienne, J. P. Barnes, L. Vallier, G. Cunge, et al.. Development and optimization of the Smart Etch concept for SiN spacer etching with high selectivity over Si and SiO2. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 11th International Workshop, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02324928⟩
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