Development and optimization of the Smart Etch concept for SiN spacer etching with high selectivity over Si and SiO2 - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Development and optimization of the Smart Etch concept for SiN spacer etching with high selectivity over Si and SiO2

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02324928

Soumis le : mardi 22 octobre 2019-10:15:49

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02324928 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02324928 , version 1

Citer

V. Renaud, C. Petit-Etienne, J. P. Barnes, L. Vallier, G. Cunge, et al.. Development and optimization of the Smart Etch concept for SiN spacer etching with high selectivity over Si and SiO2. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 11th International Workshop, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02324928⟩

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