High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics
S. Valdueza-Felip
(1)
,
E. Bellet-Amalric
(2)
,
A. Núñez-Cascajero
,
Y. Wang
(3)
,
M.-P. Chauvat
(4)
,
P. Ruterana
(4)
,
S. Pouget
(5)
,
K. Lorenz
(6)
,
E. Alves
(7)
,
E. Monroy
(2)
1
Departamento de Electronica, Grupo de Ingenieria Fotonica
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
3 University of Bath [Bath]
4 CIMAP - UMR 6252 - Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique
5 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures
6 ITN - Instituto Tecnológico e Nuclear
7 INPA - Instituto Nacional de Pesquisas da Amazônia = National Institute of Amazonian Research
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
3 University of Bath [Bath]
4 CIMAP - UMR 6252 - Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique
5 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures
6 ITN - Instituto Tecnológico e Nuclear
7 INPA - Instituto Nacional de Pesquisas da Amazônia = National Institute of Amazonian Research
E. Bellet-Amalric
- Fonction : Auteur
- PersonId : 10177
- IdHAL : edith-bellet-amalric
- ORCID : 0000-0003-2977-1725
- IdRef : 161478255
A. Núñez-Cascajero
- Fonction : Auteur
M.-P. Chauvat
- Fonction : Auteur
- PersonId : 4112
- IdHAL : idhal-mpc
- ORCID : 0000-0003-1860-9917
E. Monroy
- Fonction : Auteur
- PersonId : 743091
- IdHAL : eva-monroy
- ORCID : 0000-0001-5481-3267
- IdRef : 138495602