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High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02064247
Contributeur : Stéphanie Pouget <>
Soumis le : lundi 11 mars 2019 - 17:16:33
Dernière modification le : vendredi 10 juillet 2020 - 07:58:40

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S. Valdueza-Felip, E. Bellet-Amalric, A. Núñez-Cascajero, Y. Wang, M.-P. Chauvat, et al.. High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 116 (23), pp.233504. ⟨10.1063/1.4903944⟩. ⟨hal-02064247⟩

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