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Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches

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Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01992219
Contributeur : Jean-Francois Roux <>
Soumis le : jeudi 24 janvier 2019 - 12:17:07
Dernière modification le : mercredi 17 juillet 2019 - 01:23:58

Identifiants

  • HAL Id : hal-01992219, version 1

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Citation

A. Krotkus, K. Bertulis, M. Kaminska, K. Korona, A. Wolos, et al.. Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches. IEE Proceedings Optoelectronics, Institution of Engineering and Technology, 2002, 149 (3), pp.111-115. ⟨hal-01992219⟩

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