Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEE Proceedings Optoelectronics Année : 2002

Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches

A. Krotkus
  • Fonction : Auteur
K. Bertulis
  • Fonction : Auteur
M. Kaminska
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K. Korona
  • Fonction : Auteur
A. Wolos
  • Fonction : Auteur
J. Siegert
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Grantham Institute for Climate Change and the Environment
S. Marcinkevičius
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J.-L. Coutaz
Université Savoie Mont Blanc
CV
Jean-François Roux
Université Savoie Mont Blanc
CV

Domaines

Optique / photonique

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Soumis le : jeudi 24 janvier 2019-12:17:07

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-01992219 , version 1

Citer

A. Krotkus, K. Bertulis, M. Kaminska, K. Korona, A. Wolos, et al.. Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches. IEE Proceedings Optoelectronics, 2002, 149 (3), pp.111-115. ⟨hal-01992219⟩

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