Article Dans Une Revue
IEE Proceedings Optoelectronics
Année : 2002
Jean-Francois Roux : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01992219
Soumis le : jeudi 24 janvier 2019-12:17:07
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:16
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01992219 , version 1
Citer
A. Krotkus, K. Bertulis, M. Kaminska, K. Korona, A. Wolos, et al.. Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches. IEE Proceedings Optoelectronics, 2002, 149 (3), pp.111-115. ⟨hal-01992219⟩
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