Article Dans Une Revue IEE Proceedings Optoelectronics Année : 2002

Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches

A. Krotkus
  • Fonction : Auteur
K. Bertulis
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M. Kaminska
  • Fonction : Auteur
K. Korona
  • Fonction : Auteur
A. Wolos
  • Fonction : Auteur
J. Siegert
  • Fonction : Auteur
Grantham Institute for Climate Change and the Environment
S. Marcinkevičius
  • Fonction : Auteur
J.-L. Coutaz
USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] - Université Savoie Mont Blanc
CV
Jean-François Roux
USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] - Université Savoie Mont Blanc
CV

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Citer

A. Krotkus, K. Bertulis, M. Kaminska, K. Korona, A. Wolos, et al.. Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches. IEE Proceedings Optoelectronics, 2002, 149 (3), pp.111-115. ⟨hal-01992219⟩

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