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Anti-phase boundaries–Free GaAs epilayers on “quasi-nominal” Ge-buffered silicon substrates

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991879
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 24 janvier 2019 - 10:30:00
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:10

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Y. Bogumilowicz, J. Hartmann, R. Cipro, R. Alcotte, M. Martin, et al.. Anti-phase boundaries–Free GaAs epilayers on “quasi-nominal” Ge-buffered silicon substrates. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2015, 107 (21), pp.212105. ⟨10.1063/1.4935943⟩. ⟨hal-01991879⟩

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