High-quality and homogeneous 200-mm GeOI wafers processed for high strain induction in Ge
A. Gassenq
(1)
,
S. Tardif
(2)
,
K. Guilloy
(1)
,
N. Pauc
(1)
,
M. Bertrand
(3)
,
D. Rouchon
(3)
,
M. Hartmann
(3)
,
J. Widiez
(3)
,
J. Rothman
(3)
,
I. Duchemin
(4)
,
J. Faist
(5)
,
T. Zabel
(6)
,
H. Sigg
(6)
,
F. Rieutord
(2)
,
A. Chelnokov
(3)
,
V. Reboud
(3)
,
V. Calvo
(1)
,
Yann-Michel Niquet
(4)
1
SiNaps -
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
2 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
5 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
6 PSI - Paul Scherrer Institute
2 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
5 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
6 PSI - Paul Scherrer Institute
S. Tardif
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171321
- IdHAL : samuel-tardif
- ORCID : 0000-0002-1786-8581
- IdRef : 151370494
M. Bertrand
- Fonction : Auteur
- PersonId : 802302
- ORCID : 0000-0001-6863-1843
F. Rieutord
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170248
- IdHAL : francois-rieutord
- ORCID : 0000-0003-4697-3652
- IdRef : 033177848