Accéder directement au contenu Accéder directement à la navigation
Communication dans un congrès

High-quality and homogeneous 200-mm GeOI wafers processed for high strain induction in Ge

Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01974439
Contributeur : Francois Rieutord <>
Soumis le : mardi 8 janvier 2019 - 17:51:20
Dernière modification le : mercredi 2 septembre 2020 - 13:34:02

Identifiants

Collections

Citation

A. Gassenq, S. Tardif, K. Guilloy, N. Pauc, M. Bertrand, et al.. High-quality and homogeneous 200-mm GeOI wafers processed for high strain induction in Ge. SILICON PHOTONICS XII, Jan 2017, SAN FRANCISCO, United States. ⟨10.1117/12.2251790⟩. ⟨hal-01974439⟩

Partager

Métriques

Consultations de la notice

428