High-quality and homogeneous 200-mm GeOI wafers processed for high strain induction in Ge - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

High-quality and homogeneous 200-mm GeOI wafers processed for high strain induction in Ge

A. Gassenq
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
S. Tardif
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
K. Guilloy
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
N. Pauc
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
M. Bertrand
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
D. Rouchon
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Widiez
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Rothman
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
I. Duchemin
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation
J. Faist
  • Fonction : Auteur
Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
T. Zabel
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
H. Sigg
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
F. Rieutord
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
A. Chelnokov
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Reboud
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Calvo
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
Yann-Michel Niquet
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation

Domaines

Mécanique des matériaux [physics.class-ph] Physique Générale [physics.gen-ph] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : mardi 8 janvier 2019-17:51:20

Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2024-03:42:55

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01974439 , version 1 (08-01-2019)

Identifiants

Citer

A. Gassenq, S. Tardif, K. Guilloy, N. Pauc, M. Bertrand, et al.. High-quality and homogeneous 200-mm GeOI wafers processed for high strain induction in Ge. SILICON PHOTONICS XII, Jan 2017, SAN FRANCISCO, United States. ⟨10.1117/12.2251790⟩. ⟨hal-01974439⟩

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