Study of High Selective Silicon Nitride Etching Mechanisms in Remote Plasmas: Impact of Wafer Temperature - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Study of High Selective Silicon Nitride Etching Mechanisms in Remote Plasmas: Impact of Wafer Temperature

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01959006

Soumis le : mardi 18 décembre 2018-13:41:58

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:34:10

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01959006 , version 1 (18-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01959006 , version 1

Citer

E Prévost, L. Vallier, G. Cunge, C. De Buttet, S. Lagrasta, et al.. Study of High Selective Silicon Nitride Etching Mechanisms in Remote Plasmas: Impact of Wafer Temperature. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, California, USA, United States. ⟨hal-01959006⟩

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