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Communication dans un congrès

Study of High Selective Silicon Nitride Etching Mechanisms in Remote Plasmas: Impact of Wafer Temperature

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01959006
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 18 décembre 2018 - 13:41:58
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:34

Identifiants

  • HAL Id : hal-01959006, version 1

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Citation

E Prévost, L. Vallier, G. Cunge, C. De Buttet, S. Lagrasta, et al.. Study of High Selective Silicon Nitride Etching Mechanisms in Remote Plasmas: Impact of Wafer Temperature. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, California, USA, United States. ⟨hal-01959006⟩

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