Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01959006
Soumis le : mardi 18 décembre 2018-13:41:58
Dernière modification le : lundi 12 février 2024-15:21:17
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01959006 , version 1
Citer
E Prévost, L. Vallier, G. Cunge, C. De Buttet, S. Lagrasta, et al.. Study of High Selective Silicon Nitride Etching Mechanisms in Remote Plasmas: Impact of Wafer Temperature. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, California, USA, United States. ⟨hal-01959006⟩
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