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Confined selective lateral epitaxial growth of 16-nm thick Ge nanostructures on SOI substrates: Advantages and challenges

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01947859
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : vendredi 7 décembre 2018 - 11:36:48
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:27

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Rami Khazaka, Yann Bogumilowicz, Denis Rouchon, Hervé Boutry, Zdenek Chalupa, et al.. Confined selective lateral epitaxial growth of 16-nm thick Ge nanostructures on SOI substrates: Advantages and challenges. Applied Surface Science, Elsevier, 2018, 445, pp.77-80. ⟨10.1016/j.apsusc.2018.03.104⟩. ⟨hal-01947859⟩

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