Impact of In doping on GeTe phase-change materials thin films obtained by means of an innovative plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition process - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2017
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Dates et versions

hal-01929856 , version 1 (21-11-2018)

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Citer

P. Szkutnik, M. Aoukar, V. Todorova, L. Angélidès, B. Pelissier, et al.. Impact of In doping on GeTe phase-change materials thin films obtained by means of an innovative plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition process. Journal of Applied Physics, 2017, 121 (10), ⟨10.1063/1.4978020⟩. ⟨hal-01929856⟩
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