Electrical Properties of GaAs, InAs, InGaAs Epitaxially Grown on 300 mm Si(001) Substrate by MOCVD
Reynald Alcotte
(1)
,
Mickaël Martin
(1)
,
Tiphaine Cerba
(1)
,
Jeremy Moeyaert
(1)
,
Fares Chouchane
(1)
,
Sylvain David
(1)
,
Bassem Salem
(1)
,
Franck Bassani
(1)
,
Frédérique Ducroquet
(2)
,
Yann Bogumilowicz
(3)
,
Thierry Baron
(1)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Sylvain David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1086
- IdHAL : sylvain-david
Bassem Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
- ORCID : 0000-0001-8038-3205
- IdRef : 092216625
Franck Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 766293
- ORCID : 0000-0001-8688-1328
Frédérique Ducroquet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171005
- IdHAL : frederique-ducroquet
- ORCID : 0000-0001-8770-9650
- IdRef : 081930062
Thierry Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813