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Communication dans un congrès

Electrical Properties of GaAs, InAs, InGaAs Epitaxially Grown on 300 mm Si(001) Substrate by MOCVD

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929226
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:44:55
Dernière modification le : jeudi 6 août 2020 - 03:38:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929226, version 1

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Citation

Reynald Alcotte, Mickaël Martin, Tiphaine Cerba, Jeremy Moeyaert, Fares Chouchane, et al.. Electrical Properties of GaAs, InAs, InGaAs Epitaxially Grown on 300 mm Si(001) Substrate by MOCVD. 2017 MRS Spring Meeting:Symposium ED3: Electronic Device and Materials: Physics, Chemistry and Materials for Beyond silicon Electronics, session III-V Growth and Interfaces, Apr 2017, Phoenix, United States. ⟨hal-01929226⟩

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