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Sub-10 nm plasma nanopatterning of InGaAs with nearly vertical and smooth sidewalls for advanced n-fin field effect transistors on silicon

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891230
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mardi 9 octobre 2018 - 13:45:12
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:19

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Fares Chouchane, Bassem Salem, Guillaume Gay, Mickaël Martin, Erwine Pargon, et al.. Sub-10 nm plasma nanopatterning of InGaAs with nearly vertical and smooth sidewalls for advanced n-fin field effect transistors on silicon. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, AVS through the American Institute of Physics, 2017, 35 (2), ⟨10.1116/1.4975796⟩. ⟨hal-01891230⟩

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