High-k Bilayer Gate Stack Degradation Mechanisms Studied by Pulsed Stress at Nanometric Scale - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

High-k Bilayer Gate Stack Degradation Mechanisms Studied by Pulsed Stress at Nanometric Scale

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882045

Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-15:18:45

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882045 , version 1 (26-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882045 , version 1

Citer

M. Kogelschatz, R. Foissac, S. Blonkowski. High-k Bilayer Gate Stack Degradation Mechanisms Studied by Pulsed Stress at Nanometric Scale. 19th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, 2016, CATANIA, Italy. ⟨hal-01882045⟩

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