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Communication dans un congrès

High-k Bilayer Gate Stack Degradation Mechanisms Studied by Pulsed Stress at Nanometric Scale

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882045
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 26 septembre 2018 - 15:18:45
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882045, version 1

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Citation

M. Kogelschatz, R. Foissac, S. Blonkowski. High-k Bilayer Gate Stack Degradation Mechanisms Studied by Pulsed Stress at Nanometric Scale. 19th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, 2016, CATANIA, Italy. ⟨hal-01882045⟩

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