Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882045
Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-15:18:45
Dernière modification le : lundi 12 février 2024-15:20:29
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01882045 , version 1
Citer
M. Kogelschatz, R. Foissac, S. Blonkowski. High-k Bilayer Gate Stack Degradation Mechanisms Studied by Pulsed Stress at Nanometric Scale. 19th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, 2016, CATANIA, Italy. ⟨hal-01882045⟩
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