La2NiO4+δ-based Valence-Change Memory Devices Integrated on Silicon Wafers with Neuromorphic Programming Capabilities - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

La2NiO4+δ-based Valence-Change Memory Devices Integrated on Silicon Wafers with Neuromorphic Programming Capabilities

Domaines

Matériaux

Anne-Christine Jacob  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04699227

Soumis le : lundi 16 septembre 2024-16:40:20

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:06:10

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04699227 , version 1 (16-09-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04699227 , version 1

Citer

Thoai‐khanh Khuu, Gauthier Lefèvre, Carmen Jiménez, Serge Blonkowski, Eric Jalaguier, et al.. La2NiO4+δ-based Valence-Change Memory Devices Integrated on Silicon Wafers with Neuromorphic Programming Capabilities. CIMTEC 2022, 9th forum on new materials, Jun 2022, Perugia, Italy. ⟨hal-04699227⟩

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