Crossbar Arrays based on “Wall” Phase-Change Memory (PCM) and Ovonic- Threshold Switching (OTS) Selector: a Device Integration Challenge Towards New Computing Paradigms in Embedded Applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Crossbar Arrays based on “Wall” Phase-Change Memory (PCM) and Ovonic- Threshold Switching (OTS) Selector: a Device Integration Challenge Towards New Computing Paradigms in Embedded Applications

G. Bourgeois
  • Fonction : Auteur
V. Meli
  • Fonction : Auteur
F. Laulagnet
  • Fonction : Auteur
B. Hemard
  • Fonction : Auteur
M. Bernard
  • Fonction : Auteur
S. Dominguez
  • Fonction : Auteur
F. Baudin
  • Fonction : Auteur
J. Garrione
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04511169 , version 1 (19-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04511169 , version 1

Citer

G. Bourgeois, V. Meli, R. Antonelli, C. Socquet-Clerc, T. Magis, et al.. Crossbar Arrays based on “Wall” Phase-Change Memory (PCM) and Ovonic- Threshold Switching (OTS) Selector: a Device Integration Challenge Towards New Computing Paradigms in Embedded Applications. IEEE EDTM, Mar 2023, SEOUL, South Korea. ⟨hal-04511169⟩
4 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More