InGaAs/GaAsP Superlattice Resonant Cavity-Enhanced Photodetector Fabricated on a Nominal Si(001) Substrate for Near- and Short-Wavelength Infrared Applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ACS photonics Année : 2023

InGaAs/GaAsP Superlattice Resonant Cavity-Enhanced Photodetector Fabricated on a Nominal Si(001) Substrate for Near- and Short-Wavelength Infrared Applications

Domaines

Physique [physics]
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://cnrs.hal.science/hal-04216924

Soumis le : vendredi 17 novembre 2023-15:12:47

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:24

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Dates et versions

hal-04216924 , version 1 (17-11-2023)

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Citer

Veronica Letka, Mickaël Martin, Natalia Massara, Charles Leroux, Roselyne Templier, et al.. InGaAs/GaAsP Superlattice Resonant Cavity-Enhanced Photodetector Fabricated on a Nominal Si(001) Substrate for Near- and Short-Wavelength Infrared Applications. ACS photonics, 2023, 10 (9), pp.3266-3274. ⟨10.1021/acsphotonics.3c00692⟩. ⟨hal-04216924⟩

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