Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2023

Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-04216887

Soumis le : lundi 25 septembre 2023-13:42:08

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:10

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04216887 , version 1 (25-09-2023)

Identifiants

Citer

Lucas Jaloustre, Valentin Ackermann, Saron Sales de Mello, Sébastien Labau, Camille Petit-Etienne, et al.. Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma. Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 165, pp.107654. ⟨10.1016/j.mssp.2023.107654⟩. ⟨hal-04216887⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM MINASEE PROSPECT RENATECH
11 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More