Monolithic integration of GaAs p–i–n photodetectors grown on 300 mm silicon wafers - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue AIP Advances Année : 2020

Monolithic integration of GaAs p–i–n photodetectors grown on 300 mm silicon wafers

H. Mehdi
Laboratoire des technologies de la microélectronique
M. Martin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
S. David
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
J. Hartmann
  • Fonction : Auteur
J. Moeyaert
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
M. Touraton
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Jany
  • Fonction : Auteur
L. Virot
J. da Fonseca
  • Fonction : Auteur
J. Coignus
D. Blachier
  • Fonction : Auteur
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mercredi 23 novembre 2022-14:16:14

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-09:54:28

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Dates et versions

hal-03867652 , version 1 (23-11-2022)

Identifiants

Citer

H. Mehdi, M. Martin, S. David, J. Hartmann, J. Moeyaert, et al.. Monolithic integration of GaAs p–i–n photodetectors grown on 300 mm silicon wafers. AIP Advances, 2020, 10 (12), pp.125204. ⟨10.1063/5.0030677⟩. ⟨hal-03867652⟩

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