Silicon-integrated La2NiO4+δ-Based Valencechange Memristive Devices with Neuromorphic Programming Capabilities - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Silicon-integrated La2NiO4+δ-Based Valencechange Memristive Devices with Neuromorphic Programming Capabilities

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03780501

Soumis le : lundi 19 septembre 2022-14:13:10

Dernière modification le : lundi 9 décembre 2024-03:33:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03780501 , version 1 (19-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03780501 , version 1

Citer

T-K. Khuu, G. Lefèvre, C. Jiménez, S. Blonkowski, E. Jalaguier, et al.. Silicon-integrated La2NiO4+δ-Based Valencechange Memristive Devices with Neuromorphic Programming Capabilities. CIMTEC 2022, Jun 2022, Perugia, Italy. ⟨hal-03780501⟩

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