Brevet Année : 2021

Procédé de gravure à l’échelle nanométrique d’un alliage germanium étain (GeSn) pour transistor FET

E. Eustache
  • Fonction : Auteur
B. Salem
  • Fonction : Auteur
LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
A. Mahjoub
  • Fonction : Auteur
F. Bassani
LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
CV
J. M. Hartmann
  • Fonction : Auteur

Domaines

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Soumis le : lundi 19 septembre 2022-10:28:10

Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:24:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03780200 , version 1 (19-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03780200 , version 1

Citer

E. Eustache, B. Salem, A. Mahjoub, F. Bassani, J. M. Hartmann. Procédé de gravure à l’échelle nanométrique d’un alliage germanium étain (GeSn) pour transistor FET. United States, Patent n° : Patent EP21153243, US202117156326. 2021. ⟨hal-03780200⟩

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