Procédé de gravure à l’échelle nanométrique d’un alliage germanium étain (GeSn) pour transistor FET - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2021

Procédé de gravure à l’échelle nanométrique d’un alliage germanium étain (GeSn) pour transistor FET

E. Eustache
  • Fonction : Auteur
A. Mahjoub
  • Fonction : Auteur
J. M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03780200 , version 1 (19-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03780200 , version 1

Citer

E. Eustache, B. Salem, A. Mahjoub, F. Bassani, J. M. Hartmann. Procédé de gravure à l’échelle nanométrique d’un alliage germanium étain (GeSn) pour transistor FET. United States, Patent n° : Patent EP21153243, US202117156326. 2021. ⟨hal-03780200⟩
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