Method for corming spacers of a transistor - Université Grenoble Alpes
Brevet Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03777359 , version 1 (14-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03777359 , version 1

Citer

A. Chaker, M. Bonvalot, C. Vallée, N. Possémé. Method for corming spacers of a transistor. United States, Patent n° : US11393689 B2 - Granted patent as second publication EP3764390 A111. 2019. ⟨hal-03777359⟩
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