Sub 10-nm Ferroelectric HfO2 Capacitors Doped with Gd - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Sub 10-nm Ferroelectric HfO2 Capacitors Doped with Gd

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03777010

Soumis le : mercredi 14 septembre 2022-11:20:58

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:50:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03777010 , version 1 (14-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03777010 , version 1

Citer

Evgeni Skopin, Nicolas Guillaume, Liliane Alrifai, Ahmad Bsiesy. Sub 10-nm Ferroelectric HfO2 Capacitors Doped with Gd. Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022) featuring the 9th International Atomic Layer Etching Workshop (ALE 2022), Jun 2022, Ghent, Belgium. ⟨hal-03777010⟩

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