Sub 10-nm Ferroelectric HfO2 Capacitors Doped with Gd - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03777010 , version 1 (14-09-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03777010 , version 1

Citer

Evgeni Skopin, Nicolas Guillaume, Liliane Alrifai, Ahmad Bsiesy. Sub 10-nm Ferroelectric HfO2 Capacitors Doped with Gd. Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022) featuring the 9th International Atomic Layer Etching Workshop (ALE 2022), Jun 2022, Ghent, Belgium. ⟨hal-03777010⟩
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