Progress in SiC nanowire field-effect-transistors for integrated circuits and sensing applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2022
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Dates et versions

hal-03656207 , version 1 (01-05-2022)

Identifiants

Citer

Konstantinos Zekentes, Jihoon Choi, Valerie Stambouli, Edwige Bano, Olfa Karker, et al.. Progress in SiC nanowire field-effect-transistors for integrated circuits and sensing applications. Microelectronic Engineering, 2022, 255, pp.111704. ⟨10.1016/j.mee.2021.111704⟩. ⟨hal-03656207⟩
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