Chemically Selective Deposition of TiN by Ion-Assistance during Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Chemically Selective Deposition of TiN by Ion-Assistance during Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449538

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-16:00:30

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-10:45:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03449538 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03449538 , version 1

Citer

Jaffal Moustapha, Taguhi Yeghoyan, Samia Belahcen, Vincent Pesce, Marceline Bonvalot, et al.. Chemically Selective Deposition of TiN by Ion-Assistance during Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition. 29th Materials for Advanced Metallization 2020, 2020, conference virtuelle, France. ⟨hal-03449538⟩

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