Topographic Selective Deposition (TSD) by Combining Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition and Atomic Layer Etching Processes - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Topographic Selective Deposition (TSD) by Combining Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition and Atomic Layer Etching Processes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03449379 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03449379 , version 1

Citer

Moustapha Jaffal, Gauthier Lefevre, Taguhi Yeghoyan, Thierry Chevolleau, Rémy Gassilloud, et al.. Topographic Selective Deposition (TSD) by Combining Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition and Atomic Layer Etching Processes. ALD/ALE 2021 Virtual Meeting Overview - ALD 2021 – AVS, 2021, Virtual Meeting, France. ⟨hal-03449379⟩
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