In-situ stripping of native SiO2 for Area Selective Deposition (ASD) of TiN during Plasma Atomic Layer Deposition (PEALD) - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03449213 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03449213 , version 1

Citer

Taguhi Yeghoyan, Vincent Pesce, Gauthier Lefèvre, Samia Belahcen, Moustapha Jaffal, et al.. In-situ stripping of native SiO2 for Area Selective Deposition (ASD) of TiN during Plasma Atomic Layer Deposition (PEALD). RAFALD 2019, Nov 2019, Toulouse, France. ⟨hal-03449213⟩
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