In-situ stripping of native SiO2 for Area Selective Deposition (ASD) of TiN during Plasma Atomic Layer Deposition (PEALD) - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

In-situ stripping of native SiO2 for Area Selective Deposition (ASD) of TiN during Plasma Atomic Layer Deposition (PEALD)

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449213

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-15:33:40

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:55:09

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Dates et versions

hal-03449213 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03449213 , version 1

Citer

Taguhi Yeghoyan, Vincent Pesce, Gauthier Lefèvre, Samia Belahcen, Moustapha Jaffal, et al.. In-situ stripping of native SiO2 for Area Selective Deposition (ASD) of TiN during Plasma Atomic Layer Deposition (PEALD). RAFALD 2019, Nov 2019, Toulouse, France. ⟨hal-03449213⟩

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