An Empirical Investigation on the Effect of Oxygen Vacancy in ZrO₂ Thin Film on the Frequency-Dependent Capacitance Degradation in the Metal-Insulator-Metal Capacitor - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2021

An Empirical Investigation on the Effect of Oxygen Vacancy in ZrO₂ Thin Film on the Frequency-Dependent Capacitance Degradation in the Metal-Insulator-Metal Capacitor

Dong Hee Han
  • Fonction : Auteur
Seungwoo Lee
  • Fonction : Auteur
Ji Hyeon Hwang
  • Fonction : Auteur
Youngjin Kim
  • Fonction : Auteur
Marceline Bonvalot
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Christophe Vallee
  • Fonction : Auteur
Patrice Gonon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Woojin Jeon
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03448315

Soumis le : jeudi 25 novembre 2021-09:56:20

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-10:44:12

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Dates et versions

hal-03448315 , version 1 (25-11-2021)

Identifiants

Citer

Dong Hee Han, Seungwoo Lee, Ji Hyeon Hwang, Youngjin Kim, Marceline Bonvalot, et al.. An Empirical Investigation on the Effect of Oxygen Vacancy in ZrO₂ Thin Film on the Frequency-Dependent Capacitance Degradation in the Metal-Insulator-Metal Capacitor. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (11), pp.1-5. ⟨10.1109/TED.2021.3110837⟩. ⟨hal-03448315⟩

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